Переключатель высокого давления SiC

Переключатель высокого давления SiC состоит из карбида кремния MOSFET. По сравнению с традиционными высоковольтными переключателями на кремниевых полевых транзисторах, сопротивление проводимости может быть значительно уменьшено, что значительно снижает внутреннюю емкость переключателя, обеспечивает более высокую частоту переключения и лучшую теплоотдачу.

• Сопротивление проводимости может быть значительно уменьшено примерно на 90% по сравнению с традиционными переключателями высокого давления в кремниевых полевых трубках
• По сравнению с традиционными переключателями высокого давления кремниевой полевой трубки, внутренняя емкость уменьшается примерно на 30% ~ 50%
• Значительное сокращение потерь статической проводимости и динамического переключения
• Быстрые эндогенные диоды устраняют необходимость во внешних защитных диодах для большинства применений
• Более высокая пиковая мощность тока и лучшая устойчивость к короткому замыканию